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NUS1204MN
P?CHANNEL MOSFET (T A = 25 ° C, unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Units
Drain to Source On Resistance
V GS = ?4.5 V, I D = 600 mA
V GS = ?4.5 V, I D = 1.0 A
Zero Gate Voltage Drain Current
V GS = ?4.5 V, V GS = 0 V, V DS = ?10 V
Turn On Delay (Note 4)
V GS = ?4.5 V
Turn Off Delay (Note 4)
V GS = ?4.5 V
Input Capacitance
V GS = 0 V, f = 1.0 MHz, V DS = ?10 V
Gate to Source Leakage Current
V GS = 8.0 V, V DS = 0 V
Drain to Source Breakdown Voltage
V GS = 0 V, I D = ?250 m A
Gate Threshold Voltage
R DS(on)
I DSS
t on
t off
C in
I GSS
V (BR)DSS
V (GS)th
?12
75
75
5.5
20
531
± 10
100
100
?1.0
m W
m A
ns
ns
pF
nA
V
V
V GS = V DS , I D = ?250 m A
?0.4
?0.7
?1.0
4. Switching characteristics are independent of operating junction temperature.
http://onsemi.com
4
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